Эффект самоорганизации наноструктур на поверхности $n$-GaN(0001) при адсорбции Cs и Ва

На поверхности GaN(0001) $n$-типа создана in situ в сверхвысоком вакууме регулярная самоорганизованная 2D наноструктура нового типа – “наносоты”. Наноструктура сформирована в результате многократной послойной адсорбции Cs и Ba. Структура характеризуется высокой степенью регулярности в микродиапазоне, организована в виде сот с диаметром 60–70 нм и высотой стенок $\sim7\,$нм. Обнаружено, что наноструктура обладает квази-металлической проводимостью, малой работой выхода $\sim1.4\,$эВ и высоким квантовым выходом фотоэмиссии при возбуждении светом в области прозрачности GaN. Предложена модель самоорганизации, в которой рассматривается формирование поверхностной 2D длиннопериодической несоразмерной фазы, взаимодействующей со сверхструктурой кластеров ионов $\mathrm{Cs}^+$ и $\mathrm{Ba}^{2+}$, с учетом поляронной компенсации на поверхности GaN.