Влияние внешнего электрического поля на кинетику рекомбинации фотовозбужденных носителей в гетероструктуре 2-го типа ZnSe/BeTe

Исследована кинетика излучательной рекомбинации фотовозбужденных электронов и дырок для пространственно прямого перехода в гетероструктуре 2-го типа ZnSe/BeTe при приложении внешнего электрического поля. Обнаружены значительное (в сотни раз) уменьшение интенсивности фотолюминесценции (ФЛ) и уменьшение длительности свечения прямого перехода при приложении электрического поля. Проведены численные расчеты уровней энергии и волновых функций электронов и дырок при приложении электрического поля к гетероструктуре ZnSe/BeTe. Показано, что наблюдаемое уменьшение интенсивности ФЛ и длительности свечения прямого перехода связано как с возрастанием времени излучательной рекомбинации, так и с увеличением скорости ухода фотовозбужденных дырок с надбарьерного уровня в слое ZnSe в слой BeTe.