RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2012, том 95, выпуск 1, страницы 23–28 (Mi jetpl2412)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Особенности структуры и свойств нанопленок $\beta$-FeSi$_2$ и интерфейса $\beta$-FeSi$_2$/Si

А. С. Федоровa, А. А. Кузубовb, Т. А. Кожевниковаb, Н. С. Елисееваb, Н. Г. Галкинc, С. Г. Овчинниковab, А. А. Саранинc, А. В. Латышевd

a Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН
b Сибирский федеральный университет, г. Красноярск
c Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, г. Владивосток
d Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: В рамках DFT-расчетов проведено моделирование электронной, геометрической и магнитной структуры нанопленок $\beta$-фазы дисилицида железа FeSi$_2$ с поверхностями (001), (100) и (010). Обнаружена существенная реконструкция поверхности (001), заканчивающейся атомами кремния, сопровождающаяся повышением симметрии поверхности и возникновением “квадратов” из атомов кремния. На основе анализа плотности электронных состояний (DOS), а также спиновой DOS, спроектированной по вкладам слоев атомов (LSDOS), вычислено, что все пластины обладают металлическими свойствами. При этом основной вклад вблизи уровня Ферми вносят поверхностные слои железа, причем он быстро убывает при продвижения в глубь пластины. Из анализа вычисленных эффективных магнитных моментов атомов обнаружено, что поверхностные слои в пластинах обладают существенным магнитным моментом, особенно слои железа на поверхности (001) ($1.89 \mu_{\rm В}$/атом), причем моменты атомов быстро спадают по мере удаления их от поверхности. Исследованы электронная и геометрическая области интерфейса (001)Si/FeSi$_2$. На основе анализа LSDOS показано, что в данной области также реализуется поверхностное проводящее состояние, определяемое в основном вкладом от слоев приповерхностного силицида. Продемонстрирована возможность образования совершенной и резкой области перехода Si/FeSi$_2$.

Поступила в редакцию: 21.10.2011
Исправленный вариант: 29.11.2011


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2012, 95:1, 20–24

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024