Стимулированное поляритон-поляритонное рассеяние и динамическая бозе-эйнштейновская конденсация поляритонов в GaAs микрорезонаторах при возбуждении в области экситонного резонанса

В планарных GaAs микрорезонаторах исследована динамика формирования макрозаполненной поляритонной моды на дне поляритонной зоны $E_{LP}(k=0)$ и ее спиновой поляризации при квазирезонансном импульсном фотовозбуждении экситонов ($E = E_X$) в области больших квазиимпульсов. Найдено, что с увеличением глубины поляритонной зоны $E_X -E_{LP}(k=0)$ происходит смена механизма формирования конденсатного состояния в $k=0$ с прямого параметрического распада фотовозбуждаемой моды (за счет поляритон-поляритонного взаимодействия) на динамическую конденсацию поляритонов, которая происходит вследствие многочисленных рассеяний поляритонов как на фононах, так и на поляритонах. При этом в микрорезонаторах с $E_X -E_{LP}(k=0)>3.5$ мэВ прямой распад фотовозбуждаемой моды не исчезает, становясь эффективным механизмом заполнения состояний на кольце $k$-пространства с энергией $E_{LP}(\mathbf k) \approx E_X -2.6$ мэВ.