В. А. Володин, А. С. Кожухов, А. В. Латышев, Д. В. Щеглов, “Свертка ветвей акустических фононов в направлении, перпендикулярном нанофасеткам, в сверхрешетках GaAs/AlAs (311)А”, Письма в ЖЭТФ, 2012, том 95, выпуск 2,страницы 76

Эта публикация цитируется в 4 статьях

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Свертка ветвей акустических фононов в направлении, перпендикулярном нанофасеткам, в сверхрешетках GaAs/AlAs (311)А

В. А. Володин^ab, А. С. Кожухов^ab, А. В. Латышев^ab, Д. В. Щеглов^ab

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Новосибирский государственный университет

Аннотация: Сверхрешетки GaAs/AlAs, выращенные на нанофасетированной поверхности (311)А, исследованы с применением методов атомно-силовой микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света. При обратном рассеянии света в направлении, перпендикулярном нанофасеткам, обнаружены пики, соответствующие свернутым акустическим фононам. Период, оцененный из положения пиков, составил $1.6$ нм, что соответствует половине расстояния между нанофасетками.

Поступила в редакцию: 16.11.2011
Исправленный вариант: 08.12.2011