Механизм антигистерезисного поведения сопротивления графена на подложке сегнетоэлектрика Pb(Zr$_x$Ti$_{1-x}$)O$_3$

Предложена численная модель для объяснения антигистерезисного поведения сопротивления графена на подложке сегнетоэлектрика Pb(Zr$_x$Ti$_{1-x}$)O$_3$ с изменением напряжения на затворе. Модель учитывает экранирование электрического поля в подложке электронами, захваченными на состояния, связанные с интерфейсом графен–сегнетоэлектрик, и описывает полученные ранее экспериментальные зависимости. Сделанные оценки могут быть важны при создании элементов энергонезависимой памяти нового поколения, использующих возникающие в эффекте антигистерезиса два стабильных значения сопротивления, одному из которых соотносят логический $0$, а другому – $1$.