Природа контраста в слоях Ge/Si(111) в сканирующей туннельной микроскопии в присутствии сурфактантов Bi и Sb

Известно, что использование сурфактанта Bi (в отличие от Sb) при росте слоев Ge на Si(111) увеличивает контраст между атомами Ge и Si в сканирующей туннельной микроскопии. Это позволяет различать поверхности Ge и Si. Мы исследовали этот эффект с помощью компьютерного моделирования на основе теории функционала плотности. С целью объяснения наблюдаемой разности высот слоев Ge и Si были рассмотрены как структурные, так и электронные эффекты. Для каждой из поверхностей были рассчитаны локальная плотность электронных состояний и относящаяся к ней длина затухания в вакуум. Проведено сравнение результатов моделирования с экспериментальными данными, полученными ранее с помощью сканирующей туннельной спектроскопии.