Перестройка частоты генерации гетеролазера под влиянием ультразвуковых волн

Разработан и осуществлен новый принцип частотной перестройки излучения диодных лазеров, заключающийся в воздействии переменной деформации на активную область лазерных гетероструктур на базе InGaAsP/InP, излучающих в интервале длин волн 1.3–1.8 мкм. Разработана методика возбуждения объемных ультразвуковых волн в исследуемых структурах. Получены данные о влиянии переменного деформационного воздействия объемных ультразвуковых волн на спектральные характеристики генерируемого излучения. Из полученных данных проведены оценки величины частотной перестройки, которые дают значение $\Delta F\approx 110\,$ГГц для звуковой волны с частотой $f = 6.5\,$МГц и мощностью около 1 Вт.