Обращение волнового фронта на поверхности оптически возбужденных пленок CuI

Теоретически и экспериментально показана возможность обращения светового волнового фронта (ОСВФ) в возбужденной полупроводниковой среде. На пленках CuI при комнатной температуре при накачке азотным лазером обнаружено обращение света для энергии фотонов, равной половине энергии излучательной рекомбинации экситонов. Исследованы зависимости интенсивности сигнала ОВФ от его спектрального состава. Предлагается объяснение эффекта: квадратичное взаимодействие световых и экситонных электромагнитных колебаний в полупроводниковой среде.