И. Ю. Бородин, И. А. Литвинова, И. Г. Неизвестный, А. В. Прозоров, С. П. Супрун, А. Б. Талочкин, В. Н. Шерстякова, В. Н. Шумский, “Электрические и фотоэлектрические свойства структур GaAs/ZnSe–Ge/ZnSe/Al с квантовыми точками Ge”, Письма в ЖЭТФ, 2003, том 78, выпуск 3,страницы 184

Эта публикация цитируется в 1 статье

Электрические и фотоэлектрические свойства структур GaAs/ZnSe–Ge/ZnSe/Al с квантовыми точками Ge

И. Ю. Бородин, И. А. Литвинова, И. Г. Неизвестный, А. В. Прозоров, С. П. Супрун, А. Б. Талочкин, В. Н. Шерстякова, В. Н. Шумский

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Исследованы вольт-амперные характеристики и спектральные зависимости фото-ЭДС при $T= 4.2$ и 300 К в ненапряженных структурах с квантовыми точками (КТ) германия в системе — GaAs/ZnSe/КТ–Ge/ZnSe/Al. Наблюдаемые при комнатной температуре без освещения особенности типа «кулоновской лестницы» на вольт-амперной характеристике обусловлены кулоновским взаимодействием электронов при резонансном туннелировании через собственные уровни в КТ. Особенности в спектрах фото-ЭДС связываются с поглощением излучения в системе дискретных уровней КТ. На основе экспериментальных данных построена энергетическая зонная диаграмма структуры.

PACS: 73.63.Kv

Поступила в редакцию: 03.07.2003