О влиянии сильных электрического и магнитного полей на пространственную дисперсию и анизотропию оптических свойств полупроводника

Непертубативными методами построено выражение (в виде однократного интеграла) для поляризационного оператора фотона в полупроводнике, находящемся в сильных стационарных электрическом и магнитном полях произвольной ориентации. Учтена пространственная дисперсия и показано, при каких конфигурациях внешних полей ее влияние несущественно. Получены асимптотические соотношения для зависимости коэффициентов поглощения и преломления от характеристик поля. Установлено, что пренебрежение спином частиц ведет к принципиально неверному представлению о влиянии магнитного поля на оптические свойства непроводящих кристаллов.