Многоэлектронные кулоновские корреляции в прыжковом транспорте вдоль слоев квантовых точек

Проанализированы экспериментальные данные, относящиеся к прыжковому транспорту дырок в двумерных слоях квантовых точек (КТ) Ge/Si(001) в условиях существования дальнодействующего кулоновского взаимодействия локализованных в КТ носителей заряда, когда температурная зависимость проводимости подчиняется закону Эфроса–Шкловского. Обнаружено значительное отклонение параметров прыжковой проводимости от предсказаний модели одноэлектронных возбуждений в «кулоновских стеклах». Установлено, что определяющую роль в процессах прыжкового переноса заряда между КТ играют многочастичные кулоновские корреляции перемещений локализованных в КТ дырок, приводящие к существенному снижению кулоновских барьеров для туннелирования носителей заряда.