Транспортное время релаксации и квантовое время жизни в селективно-легированных гетероструктурах GaAs/AlAs

Исследованы низкотемпературные зависимости транспортного времени релаксации ($\tau_{tr}$) и квантового времени жизни ($\tau_{q}$) от концентрации двумерного электронного газа ($n_{e}$) в квантовых ямах GaAs с боковыми сверхрешеточными барьерами AlAs/GaAs. Обнаружено экспоненциальное возрастание квантового времени жизни с увеличением электронной концентрации. Показано, что резкое увеличение квантового времени жизни коррелирует с появлением Х-электронов в боковых сверхрешеточных барьерах AlAs/GaAs. Установлено, что в исследуемых структурах отношение транспортного времени релаксации к квантовому времени жизни зависит от концентрации немонотонно: вначале с ростом $n_e$ отношение $\tau_{tr}/\tau_{q}$ линейно увеличивается, а затем падает. Обнаруженное поведение не описывается существующими теориями.