Формирование метастабильных надбарьерных дырочных состояний в гетероструктурах 2-го типа ZnSe/BeTe при высокой плотности оптического возбуждения

Обнаружено существенное замедление кинетики люминесценции пространственно прямых оптических переходов в гетероструктурах 2-го типа ZnSe/BeTe при высоких уровнях накачки фемтосекундными лазерными импульсами. Эффект объясняется тем, что в условиях сильного изгиба зон при высоких плотностях пространственно разделенных фотовозбужденных носителей возникает потенциальный барьер, который формирует метастабильное надбарьерное состояние для дырок в слое ZnSe. Это приводит к увеличению времени релаксации дырок по энергии при их переходе в соседний слой BeTe. Экспериментальные результаты хорошо согласуются с проведенными численными расчетами.