Теоретическое исследование магнитных свойств упорядоченных вакансий в 2D гексагональных структурах: графен, 2D-SiC, h-BN

В работе проведено исследование магнитных свойств вакансий в плоских гексагональных структурах: графене, монослоях 2D-SiC и h-BN. Установлено, что во всех рассмотренных системах в присутствии вакансий наблюдается локальный магнитный момент. Однако в плоском гексагональном карбиде кремния (2D-SiC) локальный магнитный момент появляется только в случае вакансии кремния. Кроме того, обнаружено влияние расстояния между вакансиями в монослое на переходы между ферромагнитным и антиферромагнитным состояниями.