Энергетический порог Cs-индуцированной хемосорбции кислорода на поверхности GaAs(Cs, O)

Экспериментально установлено, что вероятность Cs-индуцированной хемосорбции кислорода на поверхности $p$-GaAs(Cs,О) близка к единице только тогда, когда работа выхода полупроводника не превышает $\sim3.1\pm0.1\,$эВ. Измеренное положение энергетического порога адсорбции соответствует, по-видимому, энергии незаполненного уровня антисвязывающей $2\pi^*$-орбитали молекулы О$_2$, находящейся в предадсорбционном состоянии на поверхности полупроводника.