RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2003, том 78, выпуск 7, страницы 930–934 (Mi jetpl2633)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Об устойчивости слабо заряженной поверхности жидкого гелия

В. Б. Шикин

Институт физики твердого тела РАН

Аннотация: Существующая трактовка развития неустойчивости слабо заряженной поверхности гелия нуждается в коррекции. Показано, что известный электростатически «эквипотенциальный» сценарий Френкеля–Тонкса должен трансформироваться в более общую последовательность событий, сохраняющую смысл при стремлении 2D плотности зарядов к нулю. В этих условиях меняются приоритеты и становится предпочтительной зародышевая картина (с образованием отдельных многозарядных лунок) развития неустойчивости. Эксперимент качественно подтверждает предсказания теории.

PACS: 67.55.Ig

Поступила в редакцию: 04.09.2003


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2003, 78:7, 461–465

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024