Влияние нулевых аномалий в электронной плотности состояний электродов на спектр неупругого туннелирования

Показано, что минимум в электронной плотности состояний одного из электродов, расположенный вблизи поверхности Ферми, сдвигает пики в спектре неупругого туннелирования в сторону больших напряжений. Найдено, что величина сдвига зависит от значения корреляционного параметра и возрастает с увеличением температуры. Утверждается, что лишь совместное наблюдение сдвига локальных особенностей неупругого туннелирования и наличие широкомасштабной нулевой аномалии в дифференциальной проводимости может служить достаточно убедительным доказательством существования соответствующей особенности в электронной плотности металлооксидных и магниторезистивных материалов.