RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2003, том 78, выпуск 11, страницы 1228–1231 (Mi jetpl2684)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Электронное охлаждение в болометре на горячих электронах в нормальном металле

М. А. Тарасовab, Л. С. Кузьминcb, М. Ю. Фоминскийab, И. Агулоb, А. Калабуховcb

a Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, г. Москва К-9
b Chalmers University of Technology
c Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова

Аннотация: Изготовлены и экспериментально исследованы болометры на горячих электронах в нормальном металле БГЭНМ с двумя переходами сверхпроводник–изолятор–нормальный металл (СИН) для электронного охлаждения и двумя СИН-переходами для измерения температуры. Электронное охлаждение СИН-переходами является аналогом эффекта Пелтье и позволяет снижать эффективную электронную температуру болометра. Величина электронной температуры определялась из отношения дифференциального сопротивления к нормальному при нескольких значениях постоянного смещения. При фононной температуре 250 мК отношение сопротивлений при нулевом смещении достигало 1000, что близко к теоретическому значению для идеального СИН-перехода. Достигнуто снижение электронной температуры от 250 мК до 90 мК.

PACS: 44.20.+b, 73.23.-b, 74.50.+r

Поступила в редакцию: 17.09.2003
Исправленный вариант: 09.10.2003


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2003, 78:11, 714–717

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024