В. В. Бакин, А. А. Пахневич, С. Н. Косолобов, Г. Э. Шайблер, А. С. Ярошевич, А. С. Терехов, “Преломление термализованных электронов, баллистически эмиттированных в вакуум из $\mathbf{p}^+$-GaAs-(Cs,O)”, Письма в ЖЭТФ, 2003, том 77, выпуск 4,страницы 197

Эта публикация цитируется в 9 статьях

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Преломление термализованных электронов, баллистически эмиттированных в вакуум из $\mathbf{p}^+$-GaAs-(Cs,O)

В. В. Бакин^a, А. А. Пахневич^a, С. Н. Косолобов^b, Г. Э. Шайблер^b, А. С. Ярошевич^b, А. С. Терехов^ab

^a Новосибирский государственный университет
^b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Обнаружен эффект преломления термализованных фотоэлектронов, эмиттированных в вакуум из $p^+$-GaAs-(Cs,O) с отрицательным электронным сродством. Преломление обусловлено скачком эффективной массы электронов на границе раздела полупроводник-вакуум и наблюдается только для небольшой группы электронов, вышедших в вакуум баллистически, без рассеяния тангенциальной компоненты импульса на интерфейсе.

PACS: 67.57.Lm, 76.60.-k

Поступила в редакцию: 21.01.2003