RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2003, том 77, выпуск 5, страницы 270–274 (Mi jetpl2749)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Осцилляции в спектрах пороговой фотоэмиссии GaN (0001) с субмонослойными Cs покрытиями

И. В. Афанасьев, Г. В. Бенеманская, В. С. Вихнин, Г. Э. Франк-Каменецкая, Н. М. Шмидт

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Обнаружено, что адсорбция Cs на поверхности GaN(0001) $n$-типа вызывает необычное изменение электронных свойств поверхности и приповерхностного слоя пространственного заряда, что приводит к появлению фотоэлектронной эмиссии при возбуждении в области прозрачности GaN. Установлено, что фотоэмиссия обусловлена формированием в приповерхностной области изгиба зон квазиметаллических состояний, индуцированных адсорбцией Cs. Изучено поведение фотоэмиссионного порога при возбуждении $s$-поляризованным светом в зависимости от цезиевых покрытий. Найдено, что минимальное значение порога соответствует $\sim1.4\,$эВ при концентрации атомов Cs в субмонослойном покрытии $\sim4.5\cdot10^{14}\,$атом/cм$^2$. При этом обнаружен новый эффект — появление осцилляций в спектральных зависимостях пороговой фотоэмиссии. Предложена модель осцилляций фототока, которая принимает во внимание образование квазиметаллических состояний в приповерхностном слое изгиба зон GaN и наличие интерференции в плоскопараллельной пластине образца GaN при облучении светом в области прозрачности.

PACS: 73.20.-r, 79.60.Dp

Поступила в редакцию: 18.11.2002
Исправленный вариант: 06.02.2003


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2003, 77:5, 226–229

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024