Обменное смещение в структурах IrMn/Co с альтернативным чередованием антиферромагнитного и ферромагнитного слоев

Путем измерения угловой зависимости поглощения высокочастотного излучения в области ферромагнитного резонанса исследованы магнитные свойства структур Mo/IrMn/Co/Mo/SiO$\rm_2$/Si с альтернативным чередованием антиферромагнитного (АФ) и ферромагнитного (Ф) слоев. Осаждение слоев производилось с помощью импульсного лазерного осаждения в отсутствие магнитного поля. Установлено, что термический отжиг и охлаждение позволяют создавать обменное смещение в структуре с верхним АФ-слоем при температуре, существенно ниже температуры Нееля. В то же время при идентичной термической обработке в структуре с верхним Ф-слоем обменное смещение не возникает. Обсуждаются возможные механизмы наблюдаемых явлений.