Образование и кинетика роста аномального состояния кристалла $^4$Не ниже 0.45 К

Определена диаграмма аномального состояния кристаллов $^4$He в интервале 0.2–0.45 К. Показано согласие с диаграммой «взрывоподобного» роста бездислокационной грани, что подтверждает ранее высказанное предположение об общности этих эффектов. Сформулированы требования к теоретической модели явления. Измерена зависимость скорости роста граней в аномальном состоянии до пересыщений $\sim20\,$мбар. Обнаружено, что выше $\sim8\,$мбар скорость роста выходит на константу $\sim3.5\,$м/с.