Кинематическое размножение элементарных ступеней на поверхности кристалла

Рассматривается динамика элементарных ступеней на атомно-гладкой границе кристалл-жидкость и, в частности, процесс столкновения ступеней противоположного знака. Показано, что наряду с обычной аннигиляцией ступеней при таких столкновениях, при определенных условиях возможны как «переброс» ступеней в соседний ряд с образованием нового атомного слоя (прохождение), так и отражение ступеней друг от друга. «Переброс» ступеней дает качественно новый механизм роста граней в отсутствие возобновляемых источников, таких как ростовые дислокации. В этих условиях кинетика роста кристалла с атомно-гладкими гранями существенно изменяется. В частности, рассмотренные процессы могут лежать в основе физических механизмов экспериментально наблюдающихся необычных режимов роста кристаллов гелия при низких температурах.