Генерация и удаление адатом-индуцированных электронных состояний на поверхности Cs/GaAs(001)

На поверхности Cs/GaAs(001) наблюдалось немонотонное поведение изгиба зон $\varphi_S$ как функции цезиевого покрытия $\theta$ в виде нескольких максимумов и минимумов, что свидетельствует о формировании квазидискретного спектра адатом-индуцированных поверхностных электронных состояний. Гистерезис зависимости $\varphi_S(\theta)$ при адсорбции и последующей термодесорбции цезия указывает на метастабильность системы Cs/GaAs(001).