А. В. Ефанов, К. С. Журавлев, Т. С. Шамирзаев, В. Кельнер, Х. Пашер, “Наблюдение эффектов обменного взаимодействия при оптической ориентации экситонов в AlGaAs”, Письма в ЖЭТФ, 2003, том 77, выпуск 10,страницы 664

Эта публикация цитируется в 1 статье

Наблюдение эффектов обменного взаимодействия при оптической ориентации экситонов в AlGaAs

А. В. Ефанов^a, К. С. Журавлев^a, Т. С. Шамирзаев^a, В. Кельнер^b, Х. Пашер^b

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Physikalisches Institut, Universität Bayreuth

Аннотация: Исследована экситонная люминесценция в слоях AlGaAs при межзонном возбуждении циркулярно-поляризованным светом. На кривых деполяризации люминесценции в поперечном магнитном поле (эффект Ханле) обнаружены пики, расположенные симметрично относительно точки $H=0$. Показано, что эффект вызван пересечением уровней тонкой структуры в магнитном поле. Из сравнения теоретических и экспериментальных зависимостей определена величина обменного расщепления уровней объемного экситона, а также времена рекомбинации и спиновой релаксации.

PACS: 71.35.Ji, 72.25.Rb

Поступила в редакцию: 27.03.2003