А. К. Бакаров, А. А. Быков, Н. Д. Аксенова, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, А. И. Торопов, “Соизмеримые осцилляции магнетосопротивления двумерного электронного газа в GaAs квантовых ямах с корругированными гетерограницами”, Письма в ЖЭТФ, 2003, том 77, выпуск 12,страницы 794

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Соизмеримые осцилляции магнетосопротивления двумерного электронного газа в GaAs квантовых ямах с корругированными гетерограницами

А. К. Бакаров, А. А. Быков, Н. Д. Аксенова, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, А. И. Торопов

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: В выращенных при помощи молекулярно лучевой эпитаксии селективно легированных GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами обнаружены осцилляции магнетосопротивления, соизмеримые с периодом пространственной модуляции ростовых поверхностей. Полученные экспериментальные данные объясняются латеральной потенциальной модуляцией двумерного электронного газа в узких GaAs квантовых ямах с корругированными гетерограницами и согласуются с двумерным распределением локальной емкости в таких структурах.

PACS: 73.23.-b

Поступила в редакцию: 26.03.2003
Исправленный вариант: 05.05.2003