Квазигексагональная самоорганизация наночастиц при лазерно-контролируемом осаждении атомов Ga

Развит кооперативный дефектно-деформационный (ДД) механизм нуклеации квазимонодисперсного ансамбля наночастиц при низкотемпературном осаждении атомов Ga в присутствии лазерного излучения. Проведено сравнение с экспериментом и получено хорошее согласие теоретических и экспериментальных результатов, в частности, выявлено наличие скрытого квазигексагонального порядка в расположении наночастиц и их квазигексагональной формы, предсказываемые ДД моделью, и показана возможность управления характеристиками осаждаемого ансамбля наночастиц с помощью анизотропной деформации.