Возможный механизм сверхпроводимости в интерфейсе CuO–Cu

По-видимому, в интерфейсе CuO-Cu на поверхности окиси меди образуется двумерная решетка CuO, состоящая из Cu$^{2+}$ и О$^{1-}$ ионов, которые образуют узкую частично заполненную двумерную зону. В этом случае в кислородной подсистеме плоскости вследствие выполнения условий Шубина–Вонсовского возможно образование локальных электронных пар (ЛЭП). В данном приближении грубая оценка температуры образования ЛЭП дает значение $T^*\sim10^4\,$К. При концентрации в интерфейсном слое $n\sim1.6\cdot10^{20}\,$см$^{-3}$ и эффективной массе носителей $m^*\sim m_e$ температура начала бозе-эйнштейновской конденсации может иметь значение $T_c\sim 1000\,$К. Полученная оценка температуры $T_c$ по порядку величины соответствует экспериментальному значению.