Влияние многократного рассеяния на ширину линии параметрического рентгеновского излучения релятивистских электронов в кристалле

Показана значительная роль многократного рассеяния в формировании ширины линии параметрического рентгеновского излучения «назад» релятивистских электронов в кристалле. Предложена теория ширины линии этого излучения, основанная на методе функционального интегрирования. Показано, что задача о влиянии многократного рассеяния на параметрическое рентгеновское излучение аналогична задаче об эффекте Ландау–Померанчука–Мигдала влияния многократного рассеяния на тормозное излучение электронов большой энергии в аморфной среде.