Проявление кулоновской щели в двумерных структурах $p$-GaAs-AIGaAs в условиях заполнения верхней зоны Хаббарда

Изучались транспортные свойства многослойных структур GaAs/AlGaAs модуляционно легированных Be таким образом, что в равновесии дырками были заполнены состояния верхней зоны Хаббарда (A$^+$-центры). При концентрации легирующей примеси порядка $5\cdot10^{11}\,$см$^{-2}$ в области температур 0.4-4 К наблюдалась прыжковая проводимость по состояниям кулоновской щели. Найденная из температурной зависимости проводимости характерная температура ($T_1$) оказывается заметно меньше предсказанной теоретически (в 30 раз). Предполагается, что указанное расхождение связано с влиянием коррелированных прыжков. В температурной зависимости магнетосопротивления с уменьшением температуры наблюдалось подавление отрицательного магнетосопротивления, что объясняется слабостью подбарьерного рассеяния для транспорта по верхней зоне Хаббарда.