Низкоэнергетическая фотолюминесценция структур с GeSi/Si(001) самоорганизующимися наноостровками

Исследована зависимость спектров фотолюминесценции структур с GeSi/Si(001) самоорганизующимися островками от температуры роста. Показано, что смещение пика фотолюминесценции от островков в область меньших энергий при понижении температуры роста связано с подавлением диффузии Si в островки и увеличением доли Ge в них. Обнаружен сигнал фотолюминесценции от GeSi островков в области энергий вплоть до 0.6 эВ, что значительно меньше ширины запрещенной зоны объемного Ge. Положение пика фотолюминесценции от островков хорошо описывается моделью непрямого в реальном пространстве оптического перехода с учетом реального состава и упругих напряжений островков. Получены одно и многослойные структуры с GeSi/Si(001) самоорганизующимся наноостровками, имеющими сигнал фотолюминесценции в области $1.3\div2$ мкм при комнатной температуре.