RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2002, том 76, выпуск 10, страницы 732–737 (Mi jetpl2986)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Модуляция спектров резонансного рэлеевского рассеяния света GaAs/AlGaAs структур с квантовыми ямами при надбарьерной подсветке

Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, В. А. Цветков

Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва

Аннотация: Обнаружено, что дополнительная подсветка излучением с энергией фотонов, превышающей ширину запрещенной зоны в барьерных слоях, приводит к сильной (глубиной до 40% при использовавшихся мощностях подсветки) модуляции интенсивности света, упруго рассеянного при резонансном возбуждении экситонных состояний в квантовых ямах GaAs/AlGaAs структур. Наблюдавшийся эффект связан, по-видимому, с перераспределением сил осцилляторов экситонных переходов вследствие образования заряженных трехчастичных экситонных комплексов (трионов), возникающих благодаря преимущественному захвату в квантовые ямы одноименно заряженных неравновесных носителей заряда (в нашем случае дырок).

PACS: 73.21.Fg, 78.35.+с, 78.67.De

Поступила в редакцию: 18.10.2002


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2002, 76:10, 628–632

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024