RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2002, том 76, выпуск 11, страницы 784–787 (Mi jetpl2993)

Эта публикация цитируется в 1 статье

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Кинетика заполнения электронами 2D состояний на пленке гелия

В. Б. Шикин

Институт физики твердого тела РАН

Аннотация: Обсуждаются детали процесса зарядки электронами свободной поверхности жидкого гелия. Показано, что толщина пленки гелия здесь не остается постоянной, постепенно уменьшаясь под действием электронного давления на поверхность гелия. В свою очередь, давление зависит от толщины пленки. Возникает самосогласованная кинетическая задача с характерным временем релаксации $\tau$ в основном гидродинамического происхождения (вязкая подстройка толщины пленки гелия к переменному значению электронного давления). Величина $\tau$ весьма чувствительна к толщине $d$ пленки гелия ($ \tau \propto d^3 $). В актуальном интервале $10^{-1}\,{\rm см} > d > 10^{-4}\,$см область изменения $\tau $ имеет масштаб $10^{-3}\,{\rm с} \le \tau \le 10^{+8}$ с. Особенно интересна ситуация в окрестности критической точки (в критической точке заряженная пленка гелия теряет устойчивость). Приближение к ней сопровождается ростом $\tau$ вплоть до его обращения в бесконечность.

PACS: 67.70.+n, 72.60.+g, 73.50.-h

Поступила в редакцию: 10.10.2002
Исправленный вариант: 24.10.2002


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2002, 76:11, 660–663

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024