Спектры микроволнового поглощения и проблема кристаллического поля в тетрагональных соединениях HoBa$_2$Cu$_3$O$_x$ ($x=6.0,6.3$)

Обнаружено резонансное поглощение микроволнового излучения на длинах волн 871, 406, 305 и 118 мкм тетрагональных слоистых перовскитов HoBa$_2$Cu$_3$O$_x$ ($x\approx6.0$, 6.3) в импульсных магнитных полях до 40 Тл, обусловленное электронными переходами между низко лежащими уровнями иона Ho$^{3+}$ в кристаллическом поле. Для кристалла с $x\approx6.0$ в магнитном поле вдоль тетрагональной оси положения и интенсивности основных резонансных линий поглощения адекватно описываются в рамках тетрагонального кристаллического поля с известными параметрами взаимодействия. Для объяснения более слабых линий поглощения необходимо учитывать влияние неоднородных орторомбических и моноклинных компонент кристаллического поля, обусловленных беспорядком в кислородной подсистеме. Это влияние сильнее проявляется на спектрах поглощения кристалла с $x=6.3$, для которого кислородный беспорядок более выражен.