Самоформирование системы высокоупорядоченных наноостровков германия при эпитаксии на профилированные кремниевые (111) подложки в условиях электропереноса

При помощи атомно-силового микроскопа проведено исследование топографии поверхности SiGe структур, сформированных при эпитаксии Ge на профилированные подложки Si(111) в условиях электромиграции. Получены системы высокоупорядоченных наноостровков германия размерами (10–20) нм и плотностью $6\cdot10^{10}$ см$^{-2}$. Показана принципиальная возможность управляемого воздействия на геометрические параметры самоорганизующихся наноостровков за счет выбора условий формирования и послеростового отжига структур.