Когерентное туннелирование между элементарными проводящими слоями в проводнике с волной зарядовой плотности NbSe$\mathbf{_3}$

Исследованы особенности поперечного транспорта в направлении кристаллографической оси $a^*$ в проводнике с волной зарядовой плотности (ВЗП) NbSe$_3$. При низких температурах на ВАХ слоистых структур и точечных контактов NbSe$_3$-NbSe$_3$ наблюдаются сильный пик динамической проводимости при нулевом напряжении смещения и, на слоистых структурах, серия пиков при напряжениях, кратных удвоенной пайерлсовской щели. Обнаруженное поведение во многом напоминает межслоевую туннельную проводимость в высокотемпературных слоистых сверхпроводниках типа Bi-2212. Пик проводимости при нулевом смещении объяснен в модели почти когерентного межслоевого туннелирования несконденсированных в ВЗП носителей.