Высота барьера и туннельный ток в диодах Шоттки со встроенными слоями квантовых точек

Исследованы электрические характеристики кремниевых диодов Шоттки, содержащих массивы квантовых точек Ge (КТ). Установлено, что введение плотных слоев КТ позволяет управлять высотой потенциального барьера вблизи контакта металл — полупроводник, что является следствием формирования планарного электростатического потенциала заряженных КТ. Обнаружены осцилляции фактора неидеальности барьеров Шоттки при изменении внешнего напряжения, обусловленные туннельным прохождением дырок через дискретные уровни в квантовых точках.