Фотолюминесценция и структура гетерограниц (311)A- и (311)B-ориентированных сверхрешеток GaAs/AlAs

Методами фотолюминесценции и высокоразрешающей электронной микроскопии на просвет с применением фурье-обработки изображений исследованы сверхрешетки GaAs/AlAs, выращенные одновременно на подложках GaAs с ориентацией (311)A и (311)B. Для (311)B сверхрешеток была обнаружена периодическая корругированность (гофрировка) гетерограниц. Сравнение структуры (311)A и (311)B сверхрешеток показало, что корругированность имеет место в обоих случаях, а ее период вдоль направления $[00\bar{1}]$ равен 3.2 нм. Причем в (311)B сверхрешетках корругированность выражена слабее и дополнительно присутствует модуляция (длинноволновый беспорядок) с характерным латеральным размером, превышающим 10 нм. Наличие длинноволнового беспорядка в (311)B сверхрешетках делает слабой вертикальную корреляцию областей, богатых GaAs и AlAs, которая хорошо наблюдается в (311)A. Оптические свойства (311)B сверхрешеток похожи на (100) и коренным образом отличаются от (311)A. В отличие от (311)В, для (311)A сверхрешеток наблюдается сильная поляризационная анизотропия фотолюминесценции. Показано, что в (311)A корругированных сверхрешетках с тонкими слоями GaAs и AlAs именно корругированность гетерограниц, а не кристаллографическая ориентация поверхности (311), играет определяющую роль в их оптических свойствах.