Оптические фононы в квантовых точках Ge, полученных на Si(111)

Исследовано комбинационное рассеяние света на оптических фононах в квантовых точках Ge, полученных на поверхности Si ориентации (111) с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии. Наблюдалась серия линий, связанных с квантованием фононного спектра. Показано, что частоты фононных мод хорошо описываются с помощью упругих свойств и дисперсии оптических фононов объемного Ge. Определена величина деформации квантовых точек Ge.