Сопротивление двумерных систем в магнитном поле при факторе заполнения $\nu =1/2$

Произведено сравнение с предсказанием теорий [1, 2] имеющихся в литературе экспериментальных данных для диагонального удельного сопротивления ($\rho _{xx}$) гетероструктур GaAs/AlGaAs в магнитном поле при факторе заполнения $\nu =1/2$. Обнаружено, что экспериментальные результаты не согласуются с этим предсказанием. Найдено, что $\rho _{xx}(1/2)\propto n^{-2}d^{-1.64}$.