Особенности кондактанса туннельных $\mathbf{SIN}$- и $\mathbf{SIS}$-контактов с киральными сверхпроводниками

Рассмотрены пики в кондактансе, возникающие из-за поверхностных андреевских связанных состояний, в туннельных $SIN$- и $SIS$-контактах с киральными сверхпроводниками при низких температурах. Показано, что в туннельных $SIN$-контактах кондактанс $G(V)$ как функция напряжения очень чувствителен к зависимости прозрачности барьера от направления импульса квазичастиц. Приложенное к контакту слабое магнитное поле приводит к сдвигу пиков в кондактансе. В симметричных туннельных $SIS$-контактах наличие киральных уровней андреевских связанных состояний по обе стороны границы раздела приводит к появлению пика в кондактансе при $V=0$.