RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2008, том 88, выпуск 11, страницы 877–882 (Mi jetpl310)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Электронные переходы в монокристалле VBO$_3$ при высоких давлениях

А. Г. Гаврилюкab, Н. В. Казакc, С. Г. Овчинниковcd, И. С. Любутинa

a Институт кристаллографии РАН, 119333 Москва, Россия
b Институт физики высоких давлений им. Л. Ф. Верещагина РАН
c Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отд. РАН, 660036 Красноярск, Россия
d Сибирский федеральный университет, 660041 Красноярск, Россия

Аннотация: Изучены спектры оптического поглощения в монокристаллах ферромагнитного полупроводника VBO$_3$ при воздействии высоких давлений до 70 ГПа, создаваемых в камере с алмазными наковальнями. При давлении $P_C\approx30\,$ГПа обнаружен электронный переход, сопровождающийся резким изменением оптических свойств и падением оптической щели от $E_0=3.02$ до 2.25 эВ. В фазе высокого давления щель не обращается в нуль, а принимает значение, типичное для полупроводников, что свидетельствует о переходе типа полупроводник-полупроводник. Величина критического давления, при котором возможен переход в металлическое состояние, оценена равной $P_{\rm met}\sim290\,$ГПа.

PACS: 74.62.Fj, 75.50.-y, 78.70.En, 81.40.Rs

Поступила в редакцию: 30.10.2008


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2008, 88:11, 762–766

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024