Самоформирование сеток квантовых нитей в пористых сверхрешетках InGaAs/GaAs

На базе многослойных гетероэпитаксиальных структур с двумерным газом носителей заряда в слоях InGaAs путем самоформирования в процессе электрохимического травления образцов реализованы структуры, содержащие сетки одномерных квантовых нитей. Факт понижения размерности электронно-дырочной подсистемы, связанный с трансформацией спектра энергии носителей заряда из двумерного в квазиодномерный, продемонстрирован по сдвигу и сужению резонансных линий в спектре фотолюминесценции.