Электропроводность кристаллов фуллерена С$_{\mathbf{60}}$ при динамическом сжатии до 200 кбар

Измерена удельная электропроводность $\sigma $ кристаллов фуллерена С$_{60}$ в условиях квазиизэнтропического нагружения размытой ударной волной до давления 200 кбар при начальных температурах $T=293\,$К и 77 К. В результате зарегистрировано резкое увеличение $\sigma $ на 7–8 порядков с $10^{-6}{-} 10^{-7}$ Ом$^{-1}\cdot$см$^{-1}$ при нормальных условиях до 5 Ом$^{-1}\cdot$см$^{-1}$ в диапазоне давлений 100-200 кбар. Электропроводность образцов под давлением падает с понижением температуры, что характерно для полупроводников. При снятии давления значение $\sigma $ возвращается к исходной величине.