Аннотация:
Обнаруженные осцилляции оптической плотности нанокристаллов PbS свидетельствуют о высокой однородности их размеров на стадии «нормального» роста в матрице. В результате анализа в приближении эффективных масс энергий размерного квантования основного и первого возбужденного состояний электронно-дырочной пары определены средний радиус нанокристаллов PbS $r\approx 1.7 \,$нм и высота потенциального барьера $V_e\approx4.5 \,$эВ на контакте между полупроводником и матрицей. Предполагается, что конечная высота барьера обусловлена действием в контактных областях электрических полей $\sim10^7 \,$В/м при нарушении полярной симметрии в расположении диполей молекул матрицы относительно поверхностей растущих нанокристаллов плоской формы.