RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2012, том 96, выпуск 2, страницы 107–109 (Mi jetpl3180)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Магнитные эффекты в окислении кремния

О. В. Коплакa, Р. Б. Моргуновb, А. Л. Бучаченкоb

a Научно-образовательный центр ``ФХМ" Киевского университета и НАН Украины
b Институт проблем химической физики РАН, г. Черноголовка Московской обл.

Аннотация: Методом масс-спектрометра обнаружено, что магнитное поле ускоряет окисление поверхности кристаллов кремния. Скорость окисления зависит также и от ядерного спина кремния: атомы с магнитными ядрами ($^{29}$Si) окисляются почти вдвое быстрее, чем атомы с бесспиновыми, немагнитными ядрами ($^{28}$Si и $^{30}$Si). Оба эффекта – магнитно-полевой и магнитно-изотопный – надежно доказывают, что окисление кремния является спин-селективной реакцией, в которой участвуют радикалы и радикальные пары как промежуточные парамагнитные частицы. Обсуждается спин-селективный, магнитночувствительный механизм окисления.

Поступила в редакцию: 30.05.2012
Исправленный вариант: 13.06.2012


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2012, 96:2, 102–104

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024