Поверхностный импеданс кристаллов $k$-(BEDT-TTF)$_2$Cu[N(CN)$_2$]Br

Прецизионные измерения в интервале температур $0.5<T<100$ K действительной и мнимой частей микроволнового поверхностного импеданса $Z_{ac}(T)=R_{ac}(T)+iX_{ac}(T)$ проводящих $ac$-слоев кристаллов $k$-(BEDT-TTF)$_2$Cu[N(CN)$_2$]Br демонстрируют ряд особенностей: (i) в сверхпроводящем состоянии при $T\ll T_c\approx11.5$ K близкий к линейному температурный ход глубины проникновения поля $\Delta\lambda_{ac}(T)\infty\Delta X_{ac}(T)$; (ii) в нормальном состоянии совпадение кривых $R_{ac}(T)=X_{ac}(T)$ при $T_c<T<40$ K; (iii) при $T>40$ K возрастание величины $X_{ac}(T)$ по сравнению с $R_{ac}(T)$; (iv) при $T>40$ K немонотонный ход $R_{ac}(T)$ в тонких кристаллах. Эти особенности импеданса $Z_{ac}(T)$ с увеличением $Т$ интерпретируются в терминах: (i) $d$-типа симметрии сверхпроводящего параметра порядка; (ii) нормального скин-эффекта; (iii) проявлений антиферромагнитных флуктуаций; (iv) размерного эффекта. Определены значения электродинамических параметров $k$-(BEDT-TTF)$_2$Cu[N(CN)$_2$]Br.