RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2008, том 87, выпуск 3, страницы 176–180 (Mi jetpl32)

Эта публикация цитируется в 23 статьях

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Блокада туннелирования в подвешенном одноэлектронном транзисторе

А. Г. Погосовab, М. В. Буданцевb, А. А. Шевыринab, А. Е. Плотниковb, А. К. Бакаровb, А. И. Тороповb

a Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
b Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: В одноэлектроном транзисторе с квантовой точкой, сформированной на узкой GaAs/AlGaAs квантовой проволоке, подвешенной над подложкой, исследовано туннелирование электронов, ограниченное эффектом кулоновской блокады. С помощью прямого сравнительного эксперимента выявлены особенности туннелирования, связанные с отрывом квантовой точки от подложки. Помимо увеличения зарядовой энергии (кулоновской щели), которая достигла 170 К в температурных единицах, обнаружена также ее зависимость от числа электронов на квантовой точке, которое изменялось от 0 до 4, что можно объяснить изменением эффективного размера точки под влиянием обедняющего затворного напряжения. Кроме того, обнаружена дополнительная, не связанная с кулоновской, блокада туннелирования, специфичная для подвешенных структур. Показано, что эта блокада не связана с динамическим эффектом возбуждения локальных фононных мод и может быть объяснена с учетом изменения статических упругих деформаций квантовой проволоки, сопровождающих туннелирование электрона в/из квантовой точки.

PACS: 72.20.Pa, 73.23.Hk, 73.63.Kv

Поступила в редакцию: 20.12.2007


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2008, 87:3, 150–153

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024