Фотоэмиссия из квантовых точек InAs/GaAs, декорированных адатомами цезия

Проведено декорирование адсорбированными атомами металла массива незарощенных квантовых точек InAs/GaAs in situ в сверхвысоком вакууме. Исследованы их электронные и фотоэмиссионные свойства. Обнаружена кардинальная модификация спектров пороговой фотоэмиссии из квантовых точек по мере увеличения цезиевого покрытия. Установлены два фотоэмиссионных канала, которые характеризуются существенно различными интенсивностью, спектральным положением и шириной селективных полос. Показано, что декорирование квантовых точек позволяет управлять электронной структурой и квантовым выходом фотоэмиссии, природа которой связана с возбуждением электронных состояний подложки GaAs и квантовых точек InAs.